• Ученые ТГУ создали сенсоры на основе арсенида галлия, признанные детекторами будущего

    Начальный исследовательский этап уже завершен, опытные образцы сенсоров прошли проверку в ведущих мировых научных центрах: DESY, ЦЕРНе, Лаборатории Резерфорда (Оксфорд) и других.

    Исследователи Томского государственного университета получают все больше и больше возможностей для совместной работы и обмена опытом с зарубежными коллегами. При этом достижения ученых ТГУ получают признание в мировом научном сообществе. В июле научные сотрудники лаборатории функциональной электроники (ЛФЭ) Антон Тяжев и Анастасия Лозинская приняли участие в Международном воркшопе в Гамбурге (Германия), посвященном радиационным детекторам. Антон выступил с обзором современного состояния технологии и научных исследований в данной области и рассказал о результатах исследований и испытаний матричных GaAs-сенсоров в ЛФЭ ТГУ.

    На данный момент ученые лаборатории функциональной электроники ТГУ — единственные в мире, кто делает GaAs-сенсоры для регистрации ионизирующего излучения. Еще 20 лет назад было два подхода к работе с сенсорами: стандартный, который использовался за рубежом, и наш вариант — арсенид галлия, компенсированный хромом. Материал, созданный учеными ТГУ, не обладает недостатками зарубежного аналога, поэтому интерес к нему возрастает.

    Синхротронное излучение высокой интенсивности (СИ) в последнее время стало важнейшим универсальным инструментом исследования свойств материи, звёзд, строения Земли, ископаемых артефактов, биомедицинских исследований молекул, вирусов, а также при создании веществ с новыми свойствами. При этом перспективными полупроводниковыми материалами для этого диапазона рентгеновских лучей являются арсенид галлия (GaAs) и теллурид цинка-кадмия (Cd(Zn)Te). Однако первый, арсенид галлия, по потребительским и технологическим свойствам и соотношению цена/качество значительно превосходит второй, Cd(Zn)Te.

    Добавим, что сегодня ТГУ поставляет детекторы с числом элементов более 400 тысяч пикселей на 84,6×28,2 кв.мм, используемые для регистрации синхротронного излучения. К 2016 году планируется увеличить количество пикселей до миллиона.

    Технологии GaAs полупроводниковых структур и продукция в виде матричных детекторов, разработанных и изготавливаемых в ТГУ, востребованы на мировом рынке, используется в ведущих научных центрах DESY, ESRF, PSI, RAL, BNL, JINP и ряде spin-off компаний мира (Dectris, X-Counter, ImXPad, MARS, SkyScan).

    Для справки. Разработку детекторов на основе арсенида галлия ведет лаборатория функциональной электроники (ЛФЭ) ТГУ под руководством профессора Олега Толбанова. Исследователи получили несколько грантов, в том числе по международной программе INTAS и крупному международному проекту ISTC. Технология отработана до промышленного уровня, созданы десятки вариантов детекторов для разных областей применения. Технология создания материала и производства детектора оформлена как ноу-хау, которое принадлежит ТГУ.

     

    Рубрики: Промышленность

    Комментарии закрыты.